ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Котляревский М.Б., Рогозин И.В., Мараховский А.В. Кинетика дефектообразования в ZnO в потоке радикалов кислорода	641
Александров О.В., Афонин Н.Н. Особенности сегрегационного перераспределения фосфора при термическом окислении сильно легированных слоев кремния	647
Дейбук В.Г., Возный А.В. Термодинамическая стабильность и перераспределение зарядов в тройных твердых растворах нитридов элементов III группы	655

Электронные и оптические свойства полупроводников
Одринский А.П. Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии	660
Гамарц А.Е., Канагеева Ю.М., Мошников В.А. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения	667
Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. Энергетические параметры двухэлектронных центров олова в PbSe	669
Джандиери К.М., Качлишвили З.С., Строганов А.Б. Динамический хаос в частично освещенном компенсированном полупроводнике в условиях примесного электрического пробоя	673
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Кумеков С.Е., Налет Т.А., Стеганцов С.В. \glqq Модуляция\grqq характеристик интенсивного пикосекундного стимулированного излучения из GaAs	681
Павлишенко Б.М., Шувар Р.Я. Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в компенсированных полупроводниках	689
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Якимов E.E., Barthou C., Benalloul P. Спонтанная и стимулированная ультрафиолетовая люминесценция ZnO : N при температуре 77 K	692

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Ждан А.Г., Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Чучева Г.В. Повышение темпа и дискретизация кинетики изотермической поверхностной генерации неосновных носителей заряда в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с планарно-неоднородным диэлектриком	697
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Заварин Е.Е., Константинов О.В., Шмидт Н.М. Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах на основе GaN	705

Низкоразмерные системы
Лыках В.А., Сыркин Е.С. Влияние адсорбированных молекул на спектр носителей в полупроводниковом нанопроводе	710
Баграев Н.Т., Буравлев А.Д., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Гельхофф В., Романов Ю.И., Рыков С.А. Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур	716
Герасимович А.А., Жоховец С.В., Гобш Г., Доманевский Д.С. Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре	729
Крыжановская Н.В., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Поляков Н.К., Цацульников А.Ф., Ковш А.Р., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д. Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области $1.3-1.55$ мкм	735

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Шевалеевский О.И., Myong S.Y., Lim K.S., Miyajima S., Konagai M. Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках $nc$ -SiC : H, выращенных методом photo-CVD	741

Физика полупроводниковых приборов
Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н., Танасюк Ю.В., Андрийчук М.Д., Романюк В.Р. Физические свойства CdTe при совместном легировании V и Ge	744
Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В., Новиков Ю.Н., Асеев А.Л., Ли Д.Х., Ли Д.-В., Ким Ч.В. Новый элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO₂ для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства	748
Косяченко Л.А., Маслянчук Е.Л., Склярчук В.М. Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe	754
Богданова Е.В., Волкова А.А., Черенков А.Е., Лебедев А.А., Каканаков Р.Д., Колаклиева Л.П., Саров Г.А., Чолакова Т.М., Кириллов А.В., Романов Л.П. $4H$ -SiC $p-i-n$ -диод, полученный совмещением сублимационной и газофазной эпитаксии	762