ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов

Н.И.Бочкарева , E.A.Zhirnov *, А.А.Ефремов +, Ю.Т.Ребане, Р.И.Горбунов, Ю.Г.Шретер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Department of Physics, Bath University, UK
+ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
194251 Санкт-Петербург, Россия

(Получено 29 июня 2004 г. Принята к печати 12 июля 2004 г.)

Механизм инжекционных потерь в светодиодах p-GaN/InGaN/n-GaN с квантовой ямой анализируется с помощью измерений температурных и токовых зависимостей внешней квантовой эффективности в области температур 77--300 K, а также измерений переходных токов. Результаты интерпретируются на основе туннельно-рекомбинационной модели избыточного тока, включающей туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер в n-GaN и термическую активацию дырок над барьером в p-GaN. При малых прямых напряжениях доминирует захват электронов на состояния гетерограницы InGaN/p-GaN. Избыточный ток резко увеличивается с напряжением при росте плотности дырок на границе InGaN/p-GaN и рекомбинации их с захваченными электронами. Туннельно-рекомбинационный ток ограничивает инжекцию носителей заряда в квантовую яму и является причиной снижения эффективности при высоких плотностях тока и низких температурах. Пиннинг уровня Ферми связывается с декорированием гетерограниц, границ зерен и дислокаций примесными комплексами.

 PDF версия (266Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster