ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом

В.Е.Примаченко , Я.Ф.Кононец, Б.М.Булах, Е.Ф.Венгер, Э.Б.Каганович, И.М.Кизяк,
С.И.Кириллова, Э.Г.Манойлов, Ю.А.Цыркунов

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 15 июня 2004 г. Принята к печати 9 августа 2004 г.)

Исследованы температурные зависимости фотоэдс при возбуждении ее импульсами красного и белого света большой интенсивности и разрешенные по времени релаксации спектральные зависимости фотолюминесценции на структурах пористого кремния (ПК--p-Si), полученных анодным травлением p-Si и легированных затем золотом с концентрацией его ионов в водном растворе 10-4 и 10-3M. После нанесения на пористый кремний полупрозрачных золотых электродов исследованы также вольт-амперные характеристики и электролюминесценция структур ПК--p-Si и ПК<Au>-p-Si. Показано, что легирование золотом изменяет граничный потенциал p-Si с положительного на отрицательный, изменяет величину и знак фотоэдс в пленках пористого кремния, ликвидирует явления фотопамяти, связанные с захватом неравновесных электронов в приграничные ловушки и в ловушки пористого кремния. Вольт-амперные и фотолюминесцентные характеристики существенно изменялись вследствие формирования в пористом кремнии нанокристаллов золота. На структурах Au--ПК<Au, 10-3M>--p-Si--Al обнаружена электролюминесценция, обусловленная свечением этих нанокристалов.

 PDF версия (261Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster