ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансное туннелирование дырок в двубарьерных структурах с квантовыми точками InAs в центре квантовой ямы GaAs

Е.Н.Морозова , О.Н.Макаровский *, В.А.Волков +, Ю.В.Дубровский , L.Turyanska *, Е.Е.Вдовин,
A.Patane *, L.Eaves *, M.Henini *

Институт пробем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
* The School of Physics and Astronomy, University of Nottingham,
Nottingham NG7 2RD, UK
+ Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия

(Получена 11 августа 2004 г. Принята к печати 9 сентября 2004 г.)

Исследовано влияние квантовых точек InAs, выращенных в центре квантовой ямы GaAs, на туннельные характеристики резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур AlAs/GaAs/AlAs p-типа. Введение квантовых точек приводит к сдвигу и размытию резонансных пиков на вольт-амперных характеристиках диодов, однако этот эффект существенно зависит от номера 2D подзоны, через которую идет туннелирование. Причины такой зависимости качественно объяснены возникновением флуктуационного потенциала в окрестности слоя квантовых точек.

 PDF версия (259Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster