ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках AIIIBV

А.А.Ситникова, А.В.Бобыль, С.Г.Конников, В.П.Улин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 сентября 2004 г. Принята к печати 29 сентября 2004 г.)

Получены пористые подложки GaAs (100) и (111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль < 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структуры выращенных на них слоев GaSb. Обнаружено уменьшение на 22% несоответствия параметров решеток на границе GaSb/GaAs(пористый) по сравнению с GaSb/GaAs(монолит). Развиты представления о химических механизмах порообразования в кристаллах AIIIBV и установлена связь структуры пористых слоев с составами электролитов и условиями анодирования. Показано, что зависимость скорости роста слоя от величины упругой деформации решетки может служить фактором ускоренного зарастания пор и перехода к планарному росту.

 PDF версия (338Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster