ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экситонная фотолюминесценция и вертикальный транспорт фотовозбужденных носителей в сверхрешетках CdSe/CdMgSe

И.И.Решина, С.В.Иванов, Д.Н.Мирлин, И.В.Седова, С.В.Сорокин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 сентября 2004 г. Принята к печати 17 сентября 2004 г.)

Впервые исследованы спектры фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции, рамановское рассеяние на фононах и вертикальный транспорт (вдоль направления роста) фотовозбужденных носителей и экситонов в слабонапряженных сверхрешетках CdSe/CdMgSe типа I, выращенных на подложках InAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования проводились при различных температурах и интенсивностях возбуждения. Вертикальный транспорт исследовался чисто оптически по методу встроенной в сверхрешетку уширенной квантовой ямы, служившей резервуаром, в который попадают экситоны и носители заряда после туннелирования через сверхрешетку. При температурах 2--150 K транспорт преимущественно осуществляется свободными экситонами, но в сверхрешетках с периодами 5.9 и 7.3 нм он не является блоховским. Сравнение расчетных энергий межподзонных переходов в сверхрешетках с экспериментом дает относительную величину разрыва для валентной зоны в диапазоне 0.4--0.5. Из спектров рамановского рассеяния установлен двухмодовый характер поведения для оптических фононов в CdMgSe.

 PDF версия (264Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster