ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Получение и фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al\kern0.5pt/\kern0.5ptPdPc/p-Si

Г.А.Ильчук, С.Е.Никитин, Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 10 августа 2004 г. Принята к печати 9 сентября 2004 г.)

Методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия, а затем мaгнетронного осаждения пленок ZnO : Al на подложки p-Si созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al\kern0.5pt/\kern0.5ptPdPc/p-Si. Исследованы механизмы токопереноса и фоточувствительность полученных структур. Сделан вывод о перспективах применения структур на основе тонких пленок PdPc при создании фоточувствительных структур, использующих контакт между полупроводниками органической и неорганической природы.

 PDF версия (136Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster