ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Краевая фотолюминесценция при комнатной температуре монокристаллического кремния

Е.Г.Гуле , Э.Б.Каганович, И.М.Кизяк, Э.Г.Манойлов, С.В.Свечников

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наука Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 20 июля 2004 г. Принята к печати 9 сентября 2004 г.)

На структурах нано/монокремний, полученных импульсным лазерным осаждением пленки нанокристаллического кремния (nc-Si) на подложку из монокристаллического кремния (c-Si), наблюдали сигнал краевой фотолюминесценции c-Si с максимумом при ~1.09 эВ при комнатной температуре. Сигнал фотолюминесценции увеличивался при уменьшении как плотности поверхностных состояний на границе nc-Si/c-Si, так и рассеяния краевого излучения c-Si в пленке nc-Si.

 PDF версия (105Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster