ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотопреобразование в структурах n-ZnO : Al/PdPc/p-CuIn3Se5

И.В.Боднарь *, Е.С.Дмитриева *, С.Е.Никитин, В.Ю.Рудь +, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220027 Минск, Белоруссия
+ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 июня 2004 г. Принята к печати 30 июня 2004 г.)

Предложены и впервые получены методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия (PdPc) на поверхность пластин тройного полупроводникового соединения CuIn3Se5 и магнетронного напыления пленок n-ZnO : Al на поверхность PdPc фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PdPc/p-CuIn3Se5. Исследованы вольт-амперные характеристики и спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обнаружены возможности применения полученных структур в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.

 PDF версия (177Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster