ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si

Т.А.Пагава

Грузинский технический университет, РЦСИ,
0175 Тбилиси, Грузия

(Получена 21 июня 2004 г. Принята к печати 9 августа 2004 г.)

Цель работы заключается в изучении влияния зарядового состояния неравновесных вакансий на процессы, происходящие во время облучения и термообработки в кристаллах кремния. Образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов N=6·1013 см-3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K. Облученные кристаллы исследовались методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что природа и энергетический спектр радиационных дефектов в кристаллах n-Si в основном определяются зарядовым состоянием неравновесных вакансий.

 PDF версия (97Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster