ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов GaSe, подвергнутых воздействию лазерного облучения

А.Байдуллаева , З.К.Власенко, Б.К.Даулетмуратов, Л.Ф.Кузан, П.Е.Мозоль

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 23 июня 2004 г. Принята к печати 12 июля 2004 г.)

Проведен анализ особенностей кристаллической структуры слоистых кристаллов GaSe различных политипных модификаций. Рассмотрена возможность идентификации фазовых переходов, происходящих при изменении температуры, давления и состава, методом резонансного комбинационного рассеяния света. Исследовано влияние высокотемпературного отжига и импульсного лазерного облучения на спектры комбинационного рассеяния света. Обнаружено образование областей с другим политипным составом и областей с остаточным напряжением после импульсного лазерного облучения.

 PDF версия (157Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster