ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения

Д.А.Винокуров, С.А.Зорина, В.А.Капитонов, А.В.Мурашова, Д.Н.Николаев, А.Л.Станкевич,
М.А.Хомылев, В.В.Шамахов, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Т.А.Налет, Н.А.Пихтин,
С.О.Слипченко, З.Н.Соколова, Н.В.Фетисова, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 июля 2004 г. Принята к печати 9 августа 2004 г.)

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные лазерные гетероструктуры раздельного ограничения со сверхшироким волноводом в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs (длина волны излучения ~1080 нм). Исследованы оптические и электрические свойства лазеров с полосковым контактом шириной ~100 мкм. Показано, что в лазерах на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом (более 1 мкм) удается достичь генерации на основной поперечной моде и снизить внутренние оптические потери до 0.34 см-1. В лазерных диодах с длиной резонатора более 3 мм достигнуто снижение теплового сопротивления до 2oC/Вт и получена характеристическая температура T0=110oC в диапазоне от 0 до 100oC. В изготовленных лазерах достигнуты рекордные значения коэффициента полезного действия 74% и мощности оптического излучения 16 Вт в непрерывном режиме генерации. Наработка лазеров на отказ при 65oC, рабочей мощности 3--4 Вт в течение 1000 ч привела к падению мощности на 3--7%.

 PDF версия (252Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster