ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях быстродействующих диодных структур

В.В.Тогатов, П.А.Гнатюк

Государственный университет информационных технологий механики и оптики,
197101 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 8 июля 2004 г. Принята к печати 29 июля 2004 г.)

Предложен метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях p+-n-n+-структур, позволяющий производить измерения времен жизни в наносекундном диапазоне. Разработанная методика предусматривает такую же форму измерительного импульса тока, какая используется при стандартных измерениях времен восстановления диодных структур. На основе анализа решения уравнения непрерывности для дырок в области базы дано обоснование метода. Проведено сравнение расчетных данных с данными, полученными экспериментально.

 PDF версия (177Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster