ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур

Т.Т.Мнацаканов , С.Н.Юрков, А.Г.Тандоев

Всероссийский электротехнический институт,
111250 Москва, Россия

(Получена 21 июня 2004 г. Принята к печати 12 июля 2004 г.)

Продемонстрировано существование нового механизма формирования критического заряда включения Qcr в тиристорных структурах. Построена новая аналитическая модель, позволившая получить соотношения, определяющие величину критического заряда в современных тиристорных структурах как на основе Si, так и на основе нового материала SiC. Справедливость предложенной аналитической модели критического заряда подтверждена с помощью численного эксперимента.

 PDF версия (165Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster