Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы протекания тока и фоточувствительность структур n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se₂

Ильчук Г.А.¹, Никитин С.Е.¹, Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 мая 2004 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами вакуумной сублимации фталоцианина меди на поверхность тонких пленок p-Cu(In,Ga)Se₂ и магнетронного осаждения на их поверхность пленок n-ZnO : Al получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se₂. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности тонкопленочных структур. Сделан вывод о перспективах их применения при создании широкодиапазонных (1.2-3.3 эВ) тонкопленочных фотопреобразователей.

U. Rau, H.W. Schock. Series on Photoconversion of Solar Energy, 1, 277 (2001)
A. Jasenek, U. Rau. J. Appl. Phys., 90, 650 (2001)
K. Weinert, U. Rau, A. Jasenek, H.W. Schock, J.H. Werner, M.V. Yakushev, B. Schabat, W. Bolse. In: Proc. 17th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (WIP-Munich, Germany, 2002) p. 2167
А.Т. Вартянян. ЖФХ, 22, 769 (1948)
D.D. Eley. Nature, 162, 819 (1948)
T.J. Couts, L.L. Kazmerskii, S. Wagner. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications. (Pergamon Press, N. Y., 1986)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Willey-Interscience, N. Y., 1981)]
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
Г.А. Ильчук, Н.В. Климова, О.И. Коньков, С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, Л.М. Рудая, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.В. Шаманин, Т.А. Юрре. ФТП, 38 (9), 1056 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель