ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы протекания тока и фоточувствительность структур n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se2

Г.А.Ильчук, С.Е.Никитин, Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 мая 2004 г. Принята к печати 17 мая 2004 г.)

Методами вакуумной сублимации фталоцианина меди на поверхность тонких пленок p-Cu(In,Ga)Se2 и магнетронного осаждения на их поверхность пленок n-ZnO : Al получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se2. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности тонкопленочных структур. Сделан вывод о перспективах их применения при создании широкодиапазонных (1.2-3.3 эВ) тонкопленочных фотопреобразователей.

 PDF версия (257Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster