ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных в присутствии свинца

Т.И.Воронина, Т.С.Лагунова, А.Ф.Липаев, Е.В.Куницына,
Я.А.Пархоменко, М.А.Сиповская, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 августа 2004 г. Принята к печати 19 августа 2004 г.)

Исследовано влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на транспортные и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов. Показано, что наибольшее влияние диффузии Te из подложки наблюдается в эпитаксиальных слоях твердых растворов толщиной 1-2 мкм. В данных образцах при освещении их светом в области собственного поглощения возникает большой сигнал фотоэдс.

 PDF версия (187Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster