ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами

М.В.Ардышев, В.М.Ардышев, Ю.Ю.Крючков*

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия
* Томский политехнический университет,
634050 Томск, Россия

(Получена 8 июня 2004 г. Принята к печати 5 июля 2004 г.)

Методами электропроводности и резерфордовского обратного рассеяния исследовано накопление дефектов в GaAs при импульсной (taup=1.3·10-2 c, скважность 100) и непрерывной имплантации ионов 32S, 12C и 4He при комнатной температуре в диапазонах E=100-150 кэВ, Phi=1·109-6·1016 см-2 и j=1·10-9-3·10-6 А·см-2. Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении.

 PDF версия (140Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster