ФТП, 2005, том 39, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC

А.А.Лебедев, С.Ю.Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 июня 2004 г. Принята к печати 7 июля 2004 г.)

Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времена концентрации углеродных вакансий в переходном слое, в рамках которой проведен анализ имеющихся экспериментальных данных. Показано, что параметр eta=Gtau/LT (LT --- толщина переходного слоя, G --- скорость роста пленки, tau --- время жизни вакансии в переходном слое) инвариантен относительно способа и температуры выращивания эпитаксиального слоя и определяется только концентрацией углеродных вакансий в подложке и пленке.

 PDF версия (101Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster