ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений

Л.Дапкус, К.Пожела, Ю.Пожела , А.Шиленас, В.Юцене, В.Ясутис

Институт физики полупроводников,
01108 Вильнюс, Литва

(Получена 21 июня 2004 г. Принята к печати 4 июля 2004 г.)

Гетероструктура --- варизонный слой p-AlxGa1-xAs на n-GaAs-подложке --- исследована в качестве детектора рентгеновского излучения и alpha-частиц с фотоэлектрическим откликом. Получено, что ампер-ваттная чувствительность детектора достигает 0.13 А/Вт. Вольт-ваттная чувствительность превышает 106 В/Вт. Исследовано влияние облучения alpha-частицами с энергией 5.48 эВ (241Am) на чувствительность детектора. Установлено, что при дозе облучения до 5·109 частиц/см2 чувствительность детектора падает в 1.5-2 раза. Дальнейшее увеличение дозы облучения до 4·1010 частиц/см2 не меняет чувствительности детектора.

 PDF версия (207Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster