ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si--SiO2--W для Si n- и p-типов проводимости

В.М.Мордвинцев, С.Е.Кудрявцев, В.Л.Левин

Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук,
150007 Ярославль, Россия

(Получена 26 апреля 2004 г. Принята к печати 17 мая 2004 г.)

Приводятся результаты экспериментов по исследованию процессов электроформовки в открытых \glqq сaндвич\grqq-структурах Si--SiO2--W с толщиной SiO2 около 20 нм. Отмечается их принципиальное различие для Si p- и n-типов проводимости: в первом случае наблюдается обычная для электроформовки N-образная вольт-амперная характеристика, во втором --- типичная для электрического пробоя с тепловой неустойчивостью S-образная зависимость. Обсуждаются механизмы процессов. Отмеченное различие может быть связано с тем, что только поток электронов (но не дырок) через структуру приводит к деструкции молекул на поверхности изолирующей щели и образованию из них частиц проводящей фазы.

 PDF версия (230Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster