Приводятся результаты технологических экспериментов, результаты исследования дифракции электронов (электронограммы) и данные о диаграмме конденсации. Выявлено, что в зависимости от температуры подложки лазерное излучение может как способствовать повышению кристаллического совершенства пленок, так и оказывать отрицательное воздействие. Показано, что диаграмма конденсации слоев сульфида кадмия при облучении подложки лазерным излучением малой мощности сдвинута относительно диаграммы конденсации, полученной без воздействия лазерного излучения, в сторону более высоких температур. Результаты эксперимента интерпретируются в рамках модели солитонной гетероэпитаксии.