ФТП, 2005, том 39, выпуск 1: page 71...

ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb с квантовыми ямами

В.Я.Алешкин, В.И.Гавриленко, А.В.Иконников, Ю.Г.Садофьев^*, J.P.Bird^*, S.R.Jonhson^*, Y.-H.Zhang^*

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
^* Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research,
Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

С помощью ламп обратной волны в диапазоне

150-700

ГГц исследованы спектры циклотронного резонанса в гетероструктурах AlSb / InAs / AlSb с квантовыми ямами с концентрацией двумерных электронов от

2.7

·10¹¹ до

8

·10¹² см

^-2 при 4.2 K. Обнаружено значительное возрастание циклотронной массы от

0.03m

₀ до

0.06m

₀ с ростом концентрации электронов (и соответственно энергии Ферми), что типично для полупроводников с непараболическим законом дисперсии. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с теоретическими расчетами циклотронных масс на уровне Ферми в рамках упрощенной модели Кейна.

PDF версия (204Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster