ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs / InGaAs с квантовыми ямами

А.В.Антонов, В.И.Гавриленко, Е.В.Демидов , Б.Н.Звонков *, Е.А.Ускова *

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

Измерены вольт-амперные характеристики и получены осциллограммы импульсов тока в многослойных гетероструктурах n-InGaAs / GaAs с квантовыми ямами и эпитаксиальных пленках n-GaAs с различным уровнем легирования. Показано, что при низких уровнях легирования в полях порядка 300-400 В/см имеет место насыщение вольт-амперных характеристик. В более сильно легированных образцах наблюдается возникновение осцилляций тока с периодом, соответствующим транспортной скорости (3-3.5)·105 см/с при E||[110] и примерно в 1.5 раза большим при E||[100]. Полученные результаты объясняются возникновением в структурах соответственно статических и движущихся акустоэлектрических доменов. В полях выше 1.5 кВ/см наблюдались высокочастотные осцилляции ганновского типа, соответствующие пролетной скорости электронов 1.5·107 см/с.

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster