ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование центров рекомбинации, связанных с наноразмерными кластерами As--Sb в низкотемпературном арсениде галлия

П.Н.Брунков , А.А.Гуткин, Ю.Г.Мусихин, В.В.Чалдышев, Н.Н.Берт,
С.Г.Конников, В.В.Преображенский *, М.А.Путято *, Б.Р.Семягин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Исследованы электронные ловушки в низкотемпературном GaAs (LT-GaAs), выращенном при 150oC. Кластеры As--Sb, возникающие в этом материале в результате отжига, были локализованы в плоскости, содержавшей один монослой атомов Sb, созданный в процессе выращивания, и достигали в диаметре 20 нм. Для измерений использовались барьеры Шоттки Au--n-GaAs, область объемного заряда которых при определенных смещениях охватывала узкий слой LT-GaAs с плоскостью кластеров. Зависимость емкости этой структуры от напряжения смещения показывает, что основная масса электронов, захваченных в этом слое, находится на ловушках, энергетический уровень которых лежит на ~0.5 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность состояний вблизи этой энергии составляет 1014 см-2эВ-1 и быстро уменьшается к середине запрещенной зоны. Существование ловушек с энергией активации термической эмиссии электронов ~0.5 эВ подтверждено методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Величина сечения захвата электронов, определенная этим методом, лежит в диапазоне 5·10-14-1·10-12 см2. Предполагается, что обнаруженный тип ловушек связан с крупными кластерами As--Sb.

 PDF версия (147Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster