ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами

В.Я.Алешкин, В.И.Гавриленко , Д.М.Гапонова, А.В.Иконников, К.В.Маремьянин,
С.В.Морозов, Ю.Г.Садофьев *, S.R.Johnson *, Y.-H.Zhang *

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University,
Tempe, AZ 85287, USA

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

Исследовалась остаточная фотопроводимость гетероструктур AlSb / InAs / AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs при T=4.2 K. При подсветке ИК излучением homega=0.6-1.2 эВ наблюдалась положительная остаточная фотопроводимость, связываемая с фотоионизацией глубоких доноров. В коротковолновой области наблюдается отрицательная остаточная фотопроводимость, связанная с межзонной генерацией электронно--дырочных пар с последующим разделением электронов и дырок встроенным электрическим полем, заxватом электронов на ионизованные доноры и рекомбинацией дырок с двумерными электронами в InAs. При homega>3.1 эВ обнаружено резкое падение отрицательной фотопроводимости, связываемое с включением нового канала фотоионизации глубоких доноров в AlSb за счет переходов электронов в вышележащую над зоной проводимости энергетическую зону.

 PDF версия (218Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster