Сообщается о получении эпитаксиальных слоев B$$_xGa$$_1-xAs на подложке GaAs методом металлорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении. В качестве источников бора, галлия и мышьяка использовались триэтилбор, триметилгаллий и арсин. Были подобраны оптимальные условия роста. Слои были исследованы методами рентгеновской дифракции, вторичной ионной масс-спектрометрии и фототоковой спектроскопии. Результаты вторичной ионной масс-спектрометрии показали равномерное распределение бора по толщине слоя. По данным фототоковой спектроскопии ширина запрещенной зоны BGaAs уменьшается с ростом концентрации бора.