ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в пористом GaSb, сформированном ионной имплантацией

Ю.А.Данилов , А.А.Бирюков, J.L.Gon\c calves *, J.W.Swart *, F.Iikawa $, O.Teschke $

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Centro de Componentes Semicondutores --- UNICAMP,
13083-970 Campinas, SP, Brazil
$ Instituto de F'sica \glqq Gleb Wataghin\grqq --- UNICAMP,
13081-970 Campinas, SP, Brazil

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Формирование пористого слоя в ионно-имплантированном GaSb было изучено с помощью атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света. С накоплением дозы ионов на поверхности GaSb сначала формируется система бугорков, а потом --- пористый слой. Высота ступеньки на границе пористого слоя с необлученной областью может достигать значений 1 мкм. В ионно-имплантированном GaSb обнаружена широкая полоса фотолюминесценции между 1.1 и 1.65 эВ, интенсивность которой увеличивается с дозой ионов. В спектре комбинационного рассеяния света пористого GaSb обнаружены дополнительные линии 111 и 145 см-1, характерные для окисленного полупроводника. Представленные данные свидетельствуют, что пористый слой, сформированный имплантацией ионов в GaSb, обладает свойствами, характерными для нанокристаллических систем.

 PDF версия (177Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster