ФТП, 2004, том 38, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ловушки с энергиями вблизи середины запрещенной зоны на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в структурах кремний-на-изоляторе

И.В.Антонова, В.П.Попов, В.И.Поляков*, А.И.Руковишников*

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
103907 Москва, Россия

(Получена 26 апреля 2004 г. Принята к печати 11 мая 2004 г.)

Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO2 и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Q-DLTS) с разверткой по временному окну при фиксированных значениях температуры. Такой метод позволяет исследовать ловушки вблизи середины запрещенной зоны Si при температурах, близких к комнатной. Показано, что плотность ловушек с непрерывным энергетическим спектром, локализованных на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в середине запрещенной зоны уменьшается более чем на 4 порядка по сравнению с плотностью в максимуме, наблюдаемом при энергии активации Ea~ 0.2-0.3 эВ. В отсеченном слое Si изготовленных структур КНИ обнаружены также центры захвата с энергией активации при комнатной температуре Ea=0.53 эВ, сечением захвата 10-19 см2 и концентрацией (0.7-1.7)· 1013 см-3. Предполагается, что данные центры захвата --- глубокие объемные уровни, индуцированные электрически активными примесями (дефектами) в отсеченном слое Si вблизи границы Si/SiO2.

 PDF версия (251Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster