ФТП, 2004, том 38, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs

В.Ф.Коваленко, С.В.Шутов

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсонский отдел,
73008 Херсон, Украина

(Получена 14 августа 2003 г. Принята к печати 20 мая 2004 г.)

Исследована зависимость фотолюминесценции электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs от концентрации фоновой примеси углерода NC (3·1015=< NC=< 4·1016 см-3) при 77 K. Установлено, что плотность электронно-дырочной плазмы, составляющая ne-h~1.1·1016 см-3 при интенсивности возбуждения 6·1022 квант/см2·с в кристаллах с минимальной концентрацией примеси, существенно уменьшается при увеличении NC в исследованном интервале. Снижение плотности электронно-дырочной плазмы с ростом NC связывается с влиянием флуктуаций концентрации NC, обусловливающих неоднородное распределение взаимодействующих носителей заряда и локализацию дырок в \glqq хвостах\grqq плотности состояний валентной зоны.

 PDF версия (152Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster