ФТП, 2004, том 38, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Hg1-x-y-zCdxMnyZnz\kern-0.5ptTe: новая альтернатива Hg1-xCdxTe

И.Н.Горбатюк, А.В.Марков, С.Э.Остапов , И.М.Раренко

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 15 декабря 2003 г. Принята к печати 6 апреля 2004 г.)

Представлены исследования основных зонных параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe --- основным материалом для инфракрасной фотоэлектроники в диапазонах 3-5 и 8-14 мкм.

 PDF версия (205Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster