ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические свойства структур ZnO/CuPc/Si

Г.А.Ильчук, С.Е.Никитин, Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
*Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 12 апреля 2004 г. Принята к печати 19 апреля 2004 г.)

Методами вакуумного термического напыления слоев фталоцианина меди CuPc на поверхность пластин n- и p-Si, а затем магнетронного осаждения слоев ZnO : Al на поверхность CuPc получены структуры n-ZnO : Al / CuPc/n(p)Si. Показано, что в спектральной области 1.65-3.3 эВ полученные структуры обнаруживают высокую фоточувствительность (~ 80 В/Вт при T=300 K). Обсуждаются выпрямление и фотовольтаический эффект полученных структур в связи со свойствами кремниевых подложек. Сделан вывод о перспективах применения контакта фталоцианина с алмазоподобными полупроводниками (на примере Si) в качестве широкополосных высокоэффективных фотопреобразователей.

 PDF версия (151Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster