ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние термоэлектрического поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода p-Ge--n-GaAs

М.М.Гаджиалиев, З.Ш.Пирмагомедов, Т.Н.Эфендиева

Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия

(Получена 4 февраля 2004 г. Принята к печати 16 марта 2004 г.)

Исследованы вольт-амперные характеристики, возникающие при встречных градиентах температуры, для \glqq длинных\grqq p-n-гетеропереходов Ge--GaAs. Наблюдался рост коэффициента выпрямления в зависимости от величины встречных тепловых потоков, который объясняется термоэлектрическим полем, образующимся на гетерогранице.

 PDF версия (95Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster