ФТП, 2004, том 38, выпуск 11: page 1339...

ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb $-$ Si $(n)-$ Bi $-$ Ge₃₃As₁₂Se₅₅-Sb

А.Б.Кондрат , Н.И.Попович, Н.И.Довгошей

Ужгородский национальный университет,
88000 Ужгород, Украина

(Получена 24 февраля 2004 г. Принята к печати 26 февраля 2004 г.)

Исследовались вольт-амперные характеристики гетероструктур Sb

-

(n)-

₃₃As

₁₂Se

₅₅-Sb и Sb

-

(n)-

-

₃₃As

₁₂Se

₅₅-Sb. Установлено, что наличие атомов висмута в переходной области приводит к увеличению тока, протекающего через структуру. Область объемного заряда, а соответственно и величина проникновения контактного поля в

p

-область лежат в пределах

0.2-0.5

мкм. Введение модификационного слоя висмута также приводит к качественным изменениям вольт-амперной характеристики, что свидетельствует об изменении механизма переноса носителей заряда в структуре. Введение нанослоя Bi обусловливает переход от резкого гетероперехода к плавному.

В структурах с модифицированным переходным слоем наблюдается отсутствие мягкого пробоя. Мягкий пробой наблюдается при обратном смещении, причем напряжение отсечки $~0.62$ В отвечает барьеру для электронов 0.65 эВ.

PDF версия (177Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster