ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительные структуры на монокристаллах HgGa2S4: создание и свойства

В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь, Б.Х.Байрамов, Г.А.Ильчук +, В.О.Украинец +, Н.Фернелиус #, П.Г.Шунеманн

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Национальный университет \glqq Львивська политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
# Wright Laboratory, Wright-Patterson AFB,
45433 Ohio, USA
Lockheed Sanders, Nashua,
03061 New Hampshire, USA

(Получена 18 февраля 2004 г. Принята к печати 26 марта 2004 г.)

Изготовлены и исследованы фоточувствительные структуры на основе монокристаллов n-HgGa2S4. Сделан вывод о перспективах применения кристаллов HgGa2S4 в качестве фотодекторов естественного и линейного поляризованного излучения коротковолнового спектрального диапазона.

 PDF версия (306Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster