ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Волноводные Ge / Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи

А.И.Якимов , А.В.Двуреченский, В.В.Кириенко, Н.П.Степина, А.И.Никифоров, В.В.Ульянов,
С.В.Чайковский, В.А.Володин, М.Д.Ефремов, М.С.Сексенбаев, Т.С.Шамирзаев, К.С.Журавлев

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 3 февраля 2004 г. Принята к печати 11 февраля 2004 г.)

Сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотоприемников на основе гетероструктур Ge / Si для применения в волоконно-оптических линиях связи. Фотоприемники выполнены в виде вертикальных p-i-n-диодов на подложках кремний-на-изоляторе в сочетании с волноводной латеральной геометрией и содержат слои квантовых точек Ge. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1·1012 см-2, размеры точек в плоскости роста ~8 нм. Достигнута наибольшая из известных в литературе для Ge / Si-фотодиодов с квантовыми точками величина квантовой эффективности в диапазоне телекоммуникационных длин волн, которая при засветке со стороны торца волноводов составила 21% на длине волны 1.3 мкм и 16% на длине волны 1.55 мкм.

 PDF версия (256Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster