ФТП, 2004, том 38, выпуск 7ФТП, 2004, том 38, выпуск 7| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Литвин П.М., Миленин В.В. Межфазные взаимодействия и особенности структурной релаксации в контактах TiB-GaAs (InP, GaP, -SiC), подвергнутых активным обработкам | 769 |
|---|---|
| Хужакулов Э.С. Локальная симметрия решетки PbSnSe в области бесщелевого состояния | 775 |
| Козловский В.В., Иванов П.А., Румянцев Д.С., Ломасов В.Н., Самсонова Т.П. Cтимулирование металлургических реакций на интерфейсе Ni--SiC протонным облучением | 778 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Бирюлин П.В., Кошелева В.И., Туринов В.И. Исследование электрофизических свойств CdHgTe | 784 |
| Неустроев Е.П., Смагулова С.А., Антонова И.В., Сафронов Л.Н. Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур C | 791 |
| Абдуллаев А.А. Роль уровней прилипания неравновесных электронов в процессе образования центров закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCrSe | 796 |
| Брудный В.Н., Бойко В.М., Каменская И.В., Колин Н.Г. Электрофизические свойства и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном протонами | 802 |
| Тетельбаум Д.И., Зорин Е.И., Лисенкова Н.В. Аномальная растворимость имплантированного азота в кремнии, сильно легированном бором | 808 |
| Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Федоров М.И., Компаниец В.В. Особенности термоэлектрических свойств слабо легированных твердых растворов Bi(TeSe) | 811 |
| Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Мохов Е.Н. Особенности электронного парамагнитного резонанса в -SiC в области фазового перехода изолятор--металл. II. Анализ ширины и формы линий | 816 |
| Камилов И.К., Степуренко А.А., Ковалев А.С. Локализация продольного автосолитона в антимониде индия | 822 |
| Гуткин А.А., Рещиков М.А. Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в -GaAs : S | 825 |
| Алиев С.А. Явление гистерезиса в AgTe вблизи и в области фазового превращения | 830 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Мурель А.В., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В. Устойчивость обработанных протонами GaAs фотодетекторов к гамма-нейтронному облучению | 834 |
| Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Козловский В.В., Syvajarvi M., Yakimova R. Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 МэВ | 841 |
| Низкоразмерные системы | |
| Золотовская С.А., Поснов Н.Н., Прокошин П.В., Юмашев К.В., Гурин В.С., Алексеенко А.А. Нелинейные свойства фототропных сред на основе наночастиц селенидов меди CuSe в кварцевом стекле | 846 |
| Тысченко И.Е., Реболе Л. Излучательная рекомбинация в пленках SiO, имплантированных ионами Ge и отожженных в условиях гидростатического сжатия | 852 |
| Борисенко С.И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlGaAs | 858 |
| Горский П.В. Эффект Капицы в кристаллах со сверхрешеткой | 864 |
| Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Захаров Н.Д., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Werner P., Guffart F., Bimberg D. Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InGaAs на подложке GaAs | 867 |
| Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Зегря Г.Г. Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах | 872 |
| Саченко А.В., Крюченко Ю.В., Соколовский И.О., Сресели О.М. Проявление квантово-размерных осцилляций времени излучательной экситонной рекомбинации в фотолюминесценции кремниевых наноструктур | 877 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Масалов В.М., Самаров Э.Н., Волкодав Г.И., Емельченко Г.А., Баженов А.В., Божко С.И., Карпов И.А., Грузинцев А.Н., Якимов Е.Е. Ультрафиолетовая люминесценция ZnO, инфильтрованного в опаловую матрицу | 884 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование утечек по поверхности фотодиодов на CdHgTe | 890 |