ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе InGaAsN/GaAs

Л.Я.Карачинский *, Н.Ю.Гордеев *, И.И.Новиков *, М.В.Максимов *, А.Р.Ковш *,+,
J.S.Wang +, R.S.Hsiao +, J.Y.Chi +, В.М.Устинов *, Н.Н.Леденцов *,**

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Индустриально-технологический исследовательский институт,
310 Ксинчу, Тайвань, Китайская Республика
** Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin,
D-10623 Berlin, Germany

(Получена 19 ноября 2003 г. Принята к печати 27 ноября 2003 г.)

Проведены исследования мощностных, спектральных и пространственных характеристик излучения инжекционных лазеров с активной областью на основе твердого раствора InGaAsN, выращенных на подложкх GaAs. Исследования проводились в широком диапазоне температур (77--300 K) при различных плотностях тока накачки. Показано, что увеличение содержания азота в твердом растворе InGaAsN может приводить к модификации структуры квантовой ямы, выражающейся в спонтанном формировании нанокластеров InGaAsN. Эти изменения приводят к возникновению N-образной температурной зависимости пороговой плотности тока и дифференциальной ватт-амперной эффективности.

 PDF версия (322Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster