ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник и резкого p-n-перехода

В.И.Мурыгин

Московский государственный институт электронной техники (Технический университет),
124498 Зеленоград, Россия

(Получена 4 ноября 2003 г. Принята к печати 10 ноября 2003 г.)

Рассчитаны высокочастотные емкости барьера Шоттки и резкого p-n-перехода с учетом концентрации свободных носителей заряда в области объемного заряда в полупроводнике с мелкими и глубокими примесными уровнями. Полученные формулы сопоставляются с опубликованными результатами расчетов высокочастотной емкости p-n-перехода и результатами экспериментальных исследований.

 PDF версия (79Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster