ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм

В.А.Одноблюдов, А.Ю.Егоров, М.М.Кулагина, Н.А.Малеев, Ю.М.Шерняков, Е.В.Никитина, В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 20 октября 2003 г. Принята к печати 21 октября 2003 г.)

Исследована конструкция активной области инжекционных лазеров на основе одиночных квантовых ям InGaAsN. Продемонстрирована длинноволновая (1.27--1.3 мкм), низкопороговая (<400 А/см2), высокоэффективная (>50%) лазерная генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, в барьерах GaAs или InGaAsN. Исследованы основные характеристики лазеров (пороговые, температурные, мощностные) в геометрии широкого полоска для структур с активной областью указанных типов. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров с активной областью различных конструкций.

 PDF версия (230Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster