ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением

В.Я.Братусь , С.М.Окулов, Э.Б.Каганович, И.М.Кизяк, Э.Г.Манойлов

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 11 сентября 2003 г. Принята к печати 17 октября 2003 г.)

Выполнены исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок кремния, сформированных методом лазерной абляции. Измерения осуществлялись в X-диапазоне с модуляцией магнитного поля на частоте ~100 кГц при температурах 300 и 77 K. Наблюдали два вида спектров. Первый вид, обнаруживающий большую концентрацию оборванных связей кремния в нанокристаллах Si и оболочках SiOx, присущ пленкам нанокристаллического кремния (nc-Si), не обладающим видимой фотолюминесценцией. Второй вид спектров, указывающий на наличие E'-центров, центров <немостиковый кислород>-дырка (NBOHC) и пероксидных радикалов, характерен для пленок с видимой фотолюминесценцией, что свидетельствует о наличии в них высокобарьерных слоев SiO2. Наблюдался эффект увеличения интенсивности фотолюминесценции и уменьшения сигнала электронного парамагнитного резонанса на пористых пленках nc-Si при длительном хранении на воздухе.

 PDF версия (184Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster