Исследованы спектры люминесценции легированных и нелегированных структур GaAs/GaAlAs и InGaAs/GaAs/GaAlAs, содержащих по несколько десятков ступенчатых квантовых ям. В излучении квантовых ям наблюдаются полосы, соответствующие свободным и локализованным экситонам, а также примесным состояниям. Спектры возбуждения люминесценции свидетельствуют об экситонном механизме релаксации возбуждения свободных экситонов до состояния $e1hh1$, тогда как локализованным экситонам и примесным состояниям свойственна независимая релаксация электронов и дырок. Проведено сравнение уровней энергии электронов и дырок, рассчитанных по модели Кейна для ступенчатых квантовых ям, с данными, полученными из спектров возбуждения люминесценции. По соотношению интенсивностей полос излучения экситонов $e1hh1$ и более высоких по энергии экситонных состояний установлено, что при росте уровня оптического возбуждения переход $e1hh1$ легче насыщается при высоких температурах вследствие увеличения времени жизни экситона. Рост возбуждения приводит к появлению и нелинейному усилению полосы излучения электронно-дырочной плазмы. При уровне возбуждения $~105$ Вт/см$2$ экситоны экранируются и полоса излучения плазмы доминирует в излучении квантовых ям. Неравновесные спектры люминесценции, полученные в пикосекундном режиме возбуждения и регистрации, показывают, что излучательные переходы $e1hh1$ и $e2hh2$ полностью поляризованы в плоскости квантовых ям.