| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Теория туннельного токопереноса в контактах металлполупроводник с приповерхностным изотипным -легированием
В.И.Шашкин, А.В.Мурель
Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
(Получена 21 октября 2003 г. Принята к печати 11 ноября 2003 г.)
| Построена теория туннельного токопереноса в контактах металлполупроводник с приповерхностным изотипным -легированием. На основе подхода Мерфи и Гуда, с учетом снижения высоты потенциального барьера за счет сил изображения, получены аналитические выражения для тока. Проведен расчет характеристик -легирования, обеспечивающего эффективную термополевую эмиссию в контакте металлполупроводник и уменьшение эффективной высоты барьера от исходных значений до единиц . Установлено, что зависимость тока от напряжения в контакте с изотипным -легированием носит в основном экспоненциальный характер. Показано, что для всех значений высоты барьера возможно сохранение малого фактора неидеальности . Резкое его возрастание до характерно для контактов с не полностью обедненным -слоем. |
| PDF версия (206Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |