ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия

К.Д.Глинчук , Н.М.Литовченко, О.Н.Стрильчук

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 5 августа 2003 г. Принята к печати 25 сентября 2003 г.)

Проведен анализ спектров (T=4.2 K) экситонной люминесценции полуизолирующих кристаллов GaAs с различными концентрациями мелких акцепторов (С) и доноров (Si). Это позволило найти при температуре жидкого гелия коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими нейтральными акцепторами [bA0X=(4±2)·10-8 см3/с] и донорами [bD0X=(1.5±0.8)·10-7 см3/с], а также оценить коэффициент захвата свободных экситонов мелкими ионизированными донорами (bD+X>> bD0X).

 PDF версия (120Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster