ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Взаимосвязь спиновых структурных дефектов и проводимости в пленках гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода

О.И.Шевалеевский , А.А.Цветков, Л.Л.Ларина, S.Y.Myong *, K.S.Lim *

Институт биохимической физики Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Korea Advanced Institute of Science and Technology,
Daejeon 305-701, South Korea

(Получена 30 октября 2003 г. Принята к печати 4 ноября 2003 г.)

Исследовано поведение парамагнитных дефектов и темновой проводимости в гетерогенных образцах гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода (nc-SiC : H), полученных методом фотостимулированной газовой эпитаксии (photo-CVD). Показано, что при увеличении содержания углерода в nc-SiC : H происходит фазовый переход структуры от нанокристаллической к аморфной, что приводит к уменьшению концентрации спиновых дефектов и значительному понижению величины темновой проводимости.

 PDF версия (160Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster