ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs

П.Н.Брунков , С.О.Усов *, Ю.Г.Мусихин, А.Е.Жуков,
Г.Э.Цырлин $, В.М.Устинов, С.Г.Конников, Г.К.Расулова $$

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
$ Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
$$ Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 17 сентября 2003 г. Принята к печати 18 сентября 2003 г.)

С помощью метода электрохимического вольт-фарадного профилирования проведены исследования влияния уровня легирования на вольт-амперные характеристики полупроводниковых гетероструктур со сверхрешетками GaAs / AlGaAs. Показано, что высокая концентрация свободных электронов в сверхрешетке GaAs / AlGaAs экранирует внешнее электрическое поле и препятствует образованию домена с высоким электрическим полем, ответственного за процесс резонансного туннелирования в слабосвязанных решетках.

 PDF версия (342Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster