ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdSxSe1-x

В.П.Кунец , Н.Р.Кулиш, М.П.Лисица, В.П.Брыкса

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 21 августа 2003 г. Принята к печати 18 сентября 2003 г.)

На основе исследований кинетики фотоиндуцированного затухания люминесценции квантовых точек CdSxSe1-x, синтезированных в стеклянной матрице, и расчетов ab initio энергий химических связей на границе раздела фаз в кластере типа n(CdSe)--SiOx обоснован возможный механизм фотоотжига собственных дефектов квантовых точек с гексагональной структурой кристаллической решетки. Модель состоит в том, что индуцируемый светом разрыв связей Se--O со стороны анионной грани ведет к увеличению напряженности электрического поля внутри квантовой точки, под действием которого вакансии кадмия дифундируют к поверхности. Такая модель позволяет объяснить наблюдаемые при фотоотжиге эффекты деградации люминесценции и параметров нелинейных оптических устройств на их основе.

 PDF версия (490Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster