ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs

И.А.Карпович , Б.Н.Звонков, С.Б.Левичев, Н.В.Байдусь, С.В.Тихов,
Д.О.Филатов, А.П.Горшков, С.Ю.Ермаков

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 7 июля 2003 г. Принята к печати 14 июля 2003 г.)

Показано, что в гетероструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении, можно управлять энергией основного перехода в квантовых точках в области, перекрывающей оба окна прозрачности оптического волокна на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм, путем изменения толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InxGa1-xAs. В этих структурах имеет место также красное смещение энергии основного перехода в квантовой яме InxGa1-xAs в результате образования гибридной квантовой ямы InxGa1-xAs/InAs (смачивающий слой) между квантовыми точками. В диодах Шоттки на таких структурах обнаружено увеличение обратного тока, связанное с термоактивированным туннелированием электронов из металла на уровни квантовых точек.

 PDF версия (262Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster