ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Энергетические состояния в короткопериодных симметричных и асимметричных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M.
Зависимость от граничных условий

К.Е.Глухов , А.И.Берча, Д.В.Корбутяк *, В.Г.Литовченко *

Ужгородский национальный университет,
88000 Ужгород, Украина
* Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 27 мая 2003 г. Принята к печати 4 июня 2003 г.)

На основании полученных экспериментальных данных по низкотемпературной фотолюминесценции проведено численное моделирование энергетических состояний симметричных и асимметричных короткопериодных сверхрешеток (GaAs)N/(AlAs)M с ориентацией (001). В рамках матричного формализма метода огибающей функции исследованы тенденции поведения минизонного спектра в моделях с различными граничными условиями. Показано, что верную информацию о типе переходов в рассматриваемых материалах можно получить уже при диагональных граничных условиях. Изучено влияние на минизонный спектр поправок, возникающих при учете смешивания состояний долин Gamma и X и наличии локализованного на гетерогранице delta-функционального потенциала.

 PDF версия (381Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster