ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Осцилляции наведенного фотоплеохроизма
в гетеропереходах ZnO / GaAs

С.Е.Никитин, Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь , Е.И.Теруков, N.Fernelius $, J.Goldstein $

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
$ Air Force Wright Lab.,
Wright Patterson AFB, OH, USA

(Получена 14 июля 2003 г. Принята к печати 16 июля 2003 г.)

Методом магнетронного осаждения тонких пленок n-ZnO : Al на поверхность эпитаксиальных слоев n- и p-GaAs получены анизотипные и изотипные гетеропереходы ZnO / GaAs. Показано, что в широкой спектральной области 1.5-3.2 эВ полученные гетероструктуры обладают высокой фоточувствительностью (~5·103 В / Вт при 300 K), которая осциллирует вследствие интерференции излучения в тонкопленочной компоненте. При наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность пленок ZnO в гетеропереходе возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в пределах ~1-55% при theta=85o, что также связано с интерференцией излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективности применения полученных гетеропереходов в качестве узкоселективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.

 PDF версия (163Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster