ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структурные и оптические свойства гетероструктур
с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN,
выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

И.П.Сошников, Н.В.Крыжановская, Н.Н.Леденцов, А.Ю.Егоров, В.В.Мамутин, В.А.Одноблюдов,
В.М.Устинов, О.М.Горбенко *, H.Kirmse +, W.Neumann +, D.Bimberg =/=

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
+ Humboldt University of Berlin,
D-12489 Berlin, Germany
=/= Technical University of Berlin,
D-10623 Berlin, Germany

(Получена 26 августа 2003 г. Принята к печати 9 сентября 2003 г.)

Представленны результаты исследований структурных и оптических свойств гетероструктур на основе GaAs со слоями квантовых точек InAs, заращенных квантовыми ямами InGaAsN. Методами просвечивающей электронной микроскопии изучено влияние толщины слоя InGaAsN, а также содержания и распределения азота в нем на размеры нановключений и характер и плотность дефектов в структуре. Показано, что размеры нанодоменов InAs и констраст рассогласования постоянных решетки в структурах, содержащих азот, выше, чем в структурах, не содержащих азота. Продемонстрирована корреляция длины волны люминесценции с размерами и составом нанодоменов. Показана корреляция интенсивности излучения и плотности дефектов в структуре.

 PDF версия (721Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster